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            潔凈室光罩對對準機使用操作方法
            發布者:廣州金田瑞麟凈化設備制造有限公司  發布時間:2011-10-18 08:44:06  訪問次數:240

            潔凈室光罩對對準機使用操作方法

            曝光機簡介

                在半導體製程中,涂佈光阻后的晶片,須經UV紫外光照射曝光顯影,此臺曝光機為OAI 200系列,整合光罩對準、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。

                OAI 200系列為一入門型光罩對準儀,可以手動操作更改各項使用參數,如曝光時間、曝光強度及曝光功率等等。對於中高階的線寬有很好的顯影效果,此系列最大可使用四吋的晶片,最大的曝光功率為1KW。

            曝光機使用步驟

            1.    檢查氮氣鋼瓶〈AIR 60psi〉〈N2 20psi〉以及黃光室的氮氣閥、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機下方延長線的紅色總開關,再開啟曝光機、顯微鏡。

            2.    接上隧道式抽風馬達電源,進行曝光機抽風步驟,并檢查曝光機上方汞燈座后面進風口是否有進氣。如果風量微小或者無進氣,則無法開啟汞燈的電源〈會有警報聲〉。確定進風口有進氣后,才可開啟曝光機下方的汞燈電源供應器ON/OFF開關。

            3.    按住汞燈電源供應器之START鍵,約1~3秒鐘,此時電流值會上升〈代表汞燈點亮,開始消耗電流〉,馬上放掉按鍵,汞燈即被點亮。

            4.    汞燈點亮后,至少須待機30分鐘,使Lightsource系統穩定。假使汞燈無法點亮,請不要作任何修護動作。

            5.    待系統穩定后,把電源供應器上的電壓、電流值填到紀錄表上,每一次開燈使用都要登記作為紀錄。

            6.    旋開光罩夾具之螺絲,光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下,對準三個基準點,壓下【MASK VAC.】鍵,使真空吸住光罩,再鎖好螺絲以固定光罩。

            注意:

            MASK Holder 必須放下時才能放置光罩。扳動【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASK Holder升起或放下。

            先用氮氣吹光罩和MASK Holder,光罩正面朝下,對準黑邊鐵框,手勿接觸光罩,壓下【MASK VAC.】鍵,使真空吸住光罩,鎖上旁邊兩個黑鐵邊。

            檢查放置晶片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些,防止光罩壓破晶片。

            7.    扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵,使MASK Holder上升,放置晶片到CHUNK上,將【SUB VAC.】鍵扳至ON,使真空吸住晶片,扳下【MASK FRAME UP/DOWN】鍵,使MASK Holder放下。

            8.    扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)Unlock,順時針方向慢慢旋轉旋轉鈕(Z knob),使晶片基座上升,直到傳動皮帶感覺已拉緊即可,然后逆時針旋轉Z Knob15格,扳動臺邊鈕(Ball Lock Button)Lock。

            注意:

            Z knob 每格約15 microns

            逆時針方向旋轉Z knob,會使放置晶片基座下降,其目的是為了作對準時,讓晶片和光罩有些許的距離,使晶片與光罩不會直接摩擦。

            若不須對準時,可以不使用逆時針方向旋轉Z knob。

            旋轉Z knob時,不論順時針或逆時針轉動,當皮帶打滑時,代表晶片基座已和光罩接觸,此時不可逆時針旋轉,而導致內部螺栓鬆脫。

            CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間,且電流越小皮帶越鬆。

            9.    移動顯微鏡座,至光罩上方,作晶片與光罩的對準校正。如須調整晶片的位置,可使用晶片基座旁的微調桿,校正晶片座X、Y及θ。

            10.   曝光機注意:

            曝光秒數有兩種設定,一種為1000SEC,一種為100SEC。當按下1000SEC時,計數器最大可設999秒的曝光時間;按下100SEC時,計數器最大可設99.9秒的曝光時間。

            再設定曝光秒數時要先測量汞燈的亮度,先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機左端底,后然將OAI 306 UV POWERMETER放置於CHUNK上即可,完畢后按RESET,而且可多測幾個不同的位置,觀看汞燈的亮度是否均勻,所測得的單位為mw/cm2 ,乘時間(SEC)即變可mJ的單位。

            11. 設定好曝光秒數后,即可進行曝光的程序。扳動【CONTACT VAC.】至ON,【N2 PURGE】至ON, 則晶片和光罩之間會產生些許的真空。

            注意:

            *【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。

            12. 按住把手上的按鈕,此時基座才可移動,移至曝光機左端底,放開按鈕,則曝光機會自動進行曝光的動作。

            13. 曝光完成后,即可將基座移回曝光機右端。扳動扳動【N2 PURGE】為OFF。再扳動【CONTACT VAC.】至OFF,儀器會充氮氣破光罩與晶片間的真空,方便使用者拿出晶片。

            14. 逆時針旋轉Z knob,降下晶片基座至最低點。鬆開光罩固定的黑邊鐵框,拉起【MASK VAC.】鈕,即可破除MASK Holder的真空,光罩即可取出。

            15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP,使MASK Holder升起。扳動【SUB VAC.】為OFF,使用晶片夾取出晶片,再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。

            16. 如須進行再一次的曝光,則可重覆上述步驟。

            17. 完成所有的曝光程序后,先關掉顯微鏡光源產生器,再關掉汞燈電源供應器。〈關燈后一小時內不可再開啟汞燈,已延長汞燈壽命〉

            18. 先關隧道式抽風馬達電源,關掉曝光機的開關【SYSTEM ON/OFF】為OFF,再關掉曝光機下方的延長線總開關。待曝光機冷卻后,最后再關掉墻上氮氣閥及空氣閥。

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