上海2902040 MINI MCR-2-UI-UI-PT菲尼克斯隔離變送器
主要有：電源，隔離器，模塊，交換機，變送器，連接器，傳感器，防雷器，浪涌保護器，工業插頭插座，工具，端子等~產品。
截至00年月，德國標準化學會DIN和德國電氣工程師協會VDEV0－000－不再是用于評估電磁和電容電隔離產品的固有絕緣特性和高壓性能的有效認證標準。這標志著集成電路IC制造商三年過渡期的結束。該過渡期始于0年，當時VDE發布了DINVDEV0－0－0更新標準。隨著這一變化，IC制造商必須進行升級以滿足新的認證要求，否則將要求其從相應的IC數據表中刪除VDE認證。由于這些認證是為基礎和增強的數字隔離器創建的唯一器件級標準，因此它們能夠使原始設備制造商和終端設備制造商相信使用該隔離器將滿足其系統級的高壓要求和終端設備等級認證。新標準有哪些變化。從DINVVDEV0－0到DINVDEV0－的大變化是對認證過程和要求的更改。表中列出的這些更改會影響基本認證和增強認證的器件標準。表DINVVDE更新基本和增強讓我們逐一瀏覽每個更新。“大浪涌隔離電壓”量化了隔離器承受特定瞬態曲線的極高電壓脈沖的能力。由于直接或間接的雷擊故障或短路事件，圖所示的浪涌測試曲線可能會在安裝中出現。盡管測試電壓低電壓要求和沖擊次數沒有改變，但沖擊現在以雙極性脈沖而非單極性脈沖執行。施加個正脈沖，隨后是小時至小時的延遲，然后再將個負脈沖施加到同一器件。在單個浪涌脈沖期間，一些電荷保留在隔離電介質中，從而產生剩余電場。在單極測試中，剩余電場會減小后續脈沖期間隔離柵承受的總電場。相比單極脈沖，雙極脈沖對隔離柵的場強更大，因為剩余電場現在與前一個脈沖疊加，從而超過了該器件測試序列中任何先前脈沖的場強度。圖模擬直接或間接雷擊故障或短路事件的電涌試驗目前，DINVDEV0－需要使用行業標準的時間相關的電介質擊穿TDDB測試方法來收集隔離器的壽命預測數據。在此測試中，隔離柵每側的所有管腳都綁在一起，形成了一個雙端子器件，并在兩側之間施加了高電壓。在室溫和高工作溫度下，以0Hz的各類高電壓切換來收集絕緣擊穿數據。圖所示為隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應力的固有能力。根據TDDB數據，絕緣的固有能力為．kVRMS，使用壽命為年。諸如封裝尺寸污染程度材料種類等其他因素可能會進一步限制組件的工作電壓。集成電路制造商需要花費數月甚至數年時間來收集每個經認證器件的數據。圖TDDB測試數據顯示了隔離屏障在其使用壽命內承受高壓應力的固有能力對于增強隔離，DINVDEV0－要求使用故障率小于百萬分之一ppm的TDDB預測線。即使在指定的工作隔離電壓下預期的小絕緣壽命為二十年，新的增強型認證仍要求工作電壓額外增加0％的安全裕度，器件的額定壽命增加．％的安全裕度，也就是說，在工作電壓比規定值高0％時，低要求的絕緣壽命為．年。對于基本隔離，DINVDEV0－的要求不太嚴格，允許的故障率小于000ppm。仍需要0％的工作電壓裕度，但基本絕緣器件的使用壽命裕度降低到0％，這是指在工作電壓比額定值高0％的情況下，總要求使用壽命為年。DINVVDEV0－0先前沒有定義小額定壽命和整個壽命內的故障率。盡管局部放電測試標準在DINVDEV0－中并未更改，但了解局部放電測試對隔離組件的相關性非常有用。即使二氧化硅不存在局部放電的現象，TI和VDE仍測試基于二氧化硅的數字隔離器的局部放電。光耦合器使用局部放電測試作為一種手段來篩選出在電介質中形成多余空氣氣泡的不良量產器件。雖然局部放電測試可以排除有缺陷的器件，但是要注意，它不能作為低保證壽命測試，只有在數字隔離器上進行的TDDB測試才是一個精確的壽命測試過程。通過認證，設備制造商可以在全球范圍內使用隔離器件來滿足其終端應用程序設計要求，并了解隔離器是否能夠在其整個生命周期內可靠地工作。針對認證要求的更新和修訂如DINVDE中的要求可確保高電壓安全性要求始終有意義且盡可能嚴格。如果器件制造商不能保證滿足DINVDEV0－的要求，那么設備制造商對現有和未來設計的電路板隔離器件進行檢查以確保它們仍然滿足認證要求就變得至關重要。。
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