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伯東 KRI 考夫曼霍爾離子源 eh 3000 用于清洗 PPS/ PEEK 襯底面

發布者：伯東企業(上海)有限公司發布時間：2020-10-23 11:32:59 訪問次數：122

為了獲得具備電磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子輕量化材料, 但 PPS, PEEK 導電性能差、無電磁波屏蔽能力或者達不到理想的屏蔽效果, 因此, 某機構采用磁控濺射鍍膜工藝對 PPS、PEEK 等材料結構件產品表面進行金屬化處理.

其工藝主要分為前處理、鍍膜、后處理等三個環節.

前處理需要對 PPS/PEEK 待鍍襯底面進行 Hall 離子源清洗, 該機構采用伯東 KRI 考夫曼霍爾離子源 eh 3000 對 PPS/ PEEK 襯底面進行清洗.

KRI 考夫曼霍爾離子源 Gridless eH 3000 主要技術參數:

離子源型號	霍爾離子源 eH3000
Cathode/Neutralizer	HC
電壓	50-250V
電流	20A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	5-100sccm
高度	6.0“
直徑	9.7“
水冷	可選

其濺射室需要沉積前本底真空抽到 1×10^-5Pa, 經推薦采用伯東經濟型分子泵組 HiCube 30 Eco, 其技術參數如下：

泵組型號	進氣法蘭	分子泵型號	抽速氮氣l/s	極限真空 hPa	前級泵型號	前級泵抽速 m3/h
Hicube 30 Eco	DN 40 ISO-KF	Hipace 30	22	1X10^-7	MVP 015-2	1

運用結果：

1. KRI 考夫曼霍爾離子源 eh 3000 對襯底面良好的清洗, 提高了膜層的附著力

2. 經濟型分子泵組 HiCube 30 Eco快速將本底真空抽到 1×10^-5Pa, 并穩定保持整個過程的真空度

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來源：伯東企業(上海)有限公司

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為了獲得具備電磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子輕量化材料, 但 PPS, PEEK 導電性能差、無電磁波屏蔽能力或者達不到理想的屏蔽效果, 因此, 某機構采用磁控濺射鍍膜工藝對 PPS、PEEK 等材料結構件產品表面進行金屬化處理.

KRI 考夫曼 霍爾離子源 Gridless eH 3000 主要技術參數:

為了獲得具備電磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子輕量化材料, 但 PPS, PEEK 導電性能差、無電磁波屏蔽能力或者達不到理想的屏蔽效果, 因此, 某機構采用磁控濺射鍍膜工藝對 PPS、PEEK 等材料結構件產品表面進行金屬化處理.

KRI 考夫曼霍爾離子源 Gridless eH 3000 主要技術參數: