伯東離子刻蝕機 IBE 組成主要包含真空刻蝕腔體 , 樣品臺 , 離子源等 .
其配置如下 ：
一. 真空腔體
伯東離子刻蝕機 IBE 的真空刻蝕腔體配置的是德國 Pfeiffer 分子泵 .
Pfeiffer 分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S , 轉速最高 90,000 rpm , 極限真空最大 1E-11 mbar , 能滿足各種各樣真空度要求 .
伯東是 Pfeiffer Vacuum 德國普發真空產品授權代理商 , 銷售維修普發 Pfeiffer 真空產品已超過 20 年 .
二. 離子源
伯東離子刻蝕機 IBE 配置的美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 離子源 .
可選的離子源包括 ：
射頻離子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40
考夫曼離子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10
霍爾離子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 線性霍爾離子源 eH Linear
伯東公司是美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 考夫曼離子源亞洲總代理 .
三. 樣品臺
伯東離子刻蝕機 IBE 的樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋轉 .
其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各種尺寸 .
伯東離子刻蝕機 IBE 優勢 :
伯東離子刻蝕機集全球好設備于一身 , 其性能也是優越于市面上絕大部分離子刻蝕機 .
1. 刻蝕材料范圍廣, 提供微米級刻蝕 , 滿足所有材料的刻蝕, 即使對黃金 Au , 鉑 Pt , 合金等金屬及半導體材料也能提供最優蝕刻
2. 均勻性高 , 高達 ≤±5%
3. 硅片刻蝕率可達 20 nm/min
4. 樣品臺冷卻方式多 , 可選直接冷卻 , 間接冷卻
5. 樣品臺可 0-90 度旋轉
伯東離子蝕刻機 IBE 包含小型離子蝕刻用于研究分析和大型離子蝕刻系統用于生產制造 , 已應用于半導體器件 , 集成電路制造 , 薄膜電路 , 印刷電路 , 手機背板鍍膜 , 手機廣角鏡頭鍍膜等 .
伯東離子刻蝕機 IBE 可選型號有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE
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