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            耐高壓、大容量,且看富士智能IGBT模塊的豪橫!
            發布者:上海萱鴻電子科技有限公司  發布時間:2020-12-03 10:49:04  訪問次數:383

            大家都知道,咱們的空軍戰斗機殲-20是五代機,非常先進。而作為機電行業晶體管元件的“五代機元件”, 富士智能IGBT模塊,你了解多少呢?

            是的,富士智能IGBT模塊(絕緣柵雙極晶體管)已經發展到第五代,性能不是一般般的先進哦。與傳統產品相比較,它最最突出的兩項厲害本領就是:耐高壓、大容量。

            為了獲得這兩樣“先進能力”,設計師們可沒少花功夫哦。那我們就來看看IGBT在構造上有什么不同一般的亮點呢:

            亮點一,采用FZ晶片。近年來,由于機電元件并列使用的大量提高,原始的外延片難以滿足大容量化要求,而通過采用FZ晶片,能夠獲得很薄的晶片厚度,產生低通態電壓。




            亮點二,采用FS構造。由于應用了FZ晶片,這款智能模塊得以輕松設置維持電壓的緩沖層,摒棄傳統的生命期控制技術,實現了比傳統元件更先進的低通態電壓特性。

            亮點三,表面溝漕技術。IGBT比傳統產品更加注重精細化,測試表明,在SI表面開漕的IGBT溝漕技術,破解了以往表面化構造細微化的技術屏障,從而使產品特性得到很好的改善。






            除了這些,IGBT還有許多優越之處,這里不一一例舉,總之,長江后浪推前浪,第五代就是第五代,先進性能不可否認。

            做為在這個行業中的發燒友,你是不是還在使用雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET?但請問高耐壓、大容量元件這兩個問題怎么解決?想不通?那不妨來看看上海萱鴻電子有限公司的富士智能IGBT模塊系列產品吧!



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