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            ZHR11040-5充電模塊 福建二電技術說明書
            發布者:福建省二電新能源科技有限公司  發布時間:2021-12-09 14:54:21  訪問次數:172

            軟件校準技術:傳統模塊參數整定都采用電位器整定,但存在固有缺陷,如電位器
            漂移問題以及現場調整不便等問題;我公司生產的 ZHR22010-4 模塊采用軟件校準技術,模塊
            內部沒有一個電位器,通過按鍵和 LCD 顯示可以校準模塊輸出電壓、輸出限流、電壓測量、
            電流測量,模塊參數整定方便快捷。
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            自主均流技術:模塊采用自主均流技術,模塊間均流偏差小于 3%;
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            ZVS 軟開關技術:為了使開關電源能夠在高頻下高效率地運行,我公司不斷研究開發
            高頻軟開關技術,已開發成功 ZVS 邊緣諧振技術,使開關過程損耗大為降低,從而進一步減

            小體積、減輕重量、極大提高模塊性能。

            1.1
            ZVS 軟開關優點
            ? 開關損耗小
            ? 可實現高頻化(極限頻率可做到 1-2MHz)、開關過程在平滑狀態下實現
            ? 恒頻運行,諧波成份小
            ? 無吸收電路
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            電流、電壓應力小
            功率 MOSFET 損耗由三部分組成:開通損耗、關斷損耗和導通損耗,硬開關在開關過程
            中電壓和電流同時變化,即存在高壓大電流的狀態,此時損耗很大,一般需要加吸收電路減
            小開關損耗,另外在關斷過程中,Vds 會出現過沖,對功率管有較大的損害。
            ZVS 軟開關開關過程中開通時 Vds 降到 0V 時電流上升,關斷時電流降到 0A 時 Vds 上升,
            因而理論上無開關損耗,實際中 Vds 和電流變化有一定的重疊,但開關損耗和硬開關相比較
            大大降低

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